Sikwi chofè semi-conducteurs pouvwa se yon sous-kategori enpòtan nan sikui entegre, pwisan, yo itilize pou ICs chofè IGBT anplis bay nivo kondwi ak aktyèl, souvan ak fonksyon pwoteksyon kondwi, ki gen ladan pwoteksyon desaturation kout sikwi, are anba vòltaj, Miller kranpon, fèmen de etap. , fèmen mou, SRC (slew rate control), elatriye pwodwi yo tou gen diferan nivo nan pèfòmans izolasyon.Sepandan, kòm yon sikwi entegre, pake li yo detèmine konsomasyon maksimòm pouvwa a, chofè IC pwodiksyon aktyèl la ka plis pase 10A nan kèk ka, men yo toujou pa ka satisfè bezwen kondwi segondè modil IGBT aktyèl, papye sa a pral diskite sou kondwi IGBT. aktyèl ak aktyèl ekspansyon.
Ki jan yo elaji aktyèl chofè a
Lè kondwi aktyèl la bezwen ogmante, oswa lè w ap kondwi IGBT ak gwo kapasite aktyèl ak gwo pòtay, li nesesè pou elaji aktyèl la pou IC chofè a.
Sèvi ak tranzistò bipolè
Konsepsyon ki pi tipik nan chofè pòtay IGBT se reyalize ekspansyon aktyèl la lè l sèvi avèk disip konplemantè emeteur.Pwodiksyon aktyèl la nan tranzistò suivan emeteur detèmine pa benefis DC tranzistò hFE oswa β ak aktyèl la baz IB, lè aktyèl la bezwen kondwi IGBT se pi gwo pase IB * β, Lè sa a, tranzistò a pral antre nan zòn nan k ap travay lineyè ak pwodiksyon an. aktyèl kondwi a se ensifizan, Lè sa a, vitès la chaje ak egzeyat nan kondansateur IGBT ap vin pi dousman ak pèt yo IGBT ogmante.
Sèvi ak MOSFET yo
MOSFET yo kapab tou itilize pou ekspansyon aktyèl chofè a, kous la jeneralman konpoze de PMOS + NMOS, men nivo lojik estrikti sikwi a se opoze a tranzistò pouse-rale.Konsepsyon sous PMOS tib anwo a konekte ak ekipman pou pouvwa pozitif la, pòtay la pi ba pase sous PMOS vòltaj bay yo, epi pwodiksyon IC chofè a se jeneralman wo nivo vire, kidonk itilize estrikti PMOS + NMOS. ka mande pou yon varyateur nan konsepsyon an.
Avèk tranzistò bipolè oswa MOSFET?
(1) Diferans efikasite, anjeneral nan aplikasyon pou gwo pouvwa, frekans nan chanje se pa trè wo, kidonk pèt la kondiksyon se prensipal la, lè tranzistò a gen avantaj la.Anpil aktyèl konsepsyon dansite pouvwa segondè, tankou kondui motè machin elektrik, kote dissipation chalè difisil ak tanperati yo wo nan ka ki fèmen, lè efikasite trè enpòtan epi yo ka chwazi sikui tranzistò.
(2) Pwodiksyon solisyon bipolè tranzistò a gen yon gout vòltaj ki te koze pa VCE(sat), vòltaj ekipman an bezwen ogmante pou konpanse kondwi tib VCE(sat) pou reyalize yon vòltaj kondwi 15V, pandan y ap solisyon MOSFET. ka prèske reyalize yon pwodiksyon tren-a-ray.
(3) MOSFET kenbe tèt ak vòltaj, VGS sèlman sou 20V, ki ka yon pwoblèm ki bezwen atansyon lè w ap itilize materyèl pouvwa pozitif ak negatif.
(4) MOSFET yo gen yon koyefisyan tanperati negatif nan Rds (on), pandan y ap tranzistò bipolè gen yon koyefisyan tanperati pozitif, ak MOSFET yo gen yon pwoblèm tèmik evade lè yo konekte nan paralèl.
(5) Si kondwi MOSFET Si/SiC, vitès chanjman bipolè tranzistò yo anjeneral pi dousman pase MOSFET objè kondwi yo, ki ta dwe konsidere kòm itilize MOSFET pou yon ekstansyon pou aktyèl la.
(6) Fòs nan etap nan opinyon nan ESD ak vòltaj vag, bipolè tranzistò PN junction gen yon avantaj enpòtan konpare ak oksid pòtay MOS.
Tranzistò bipolè ak karakteristik MOSFET yo pa menm, kisa pou itilize oswa ou bezwen deside pou tèt ou an akò ak kondisyon konsepsyon sistèm yo.
Enfòmasyon rapid sou NeoDen
① Etabli an 2010, 200+ anplwaye, 8000+ Sq.m.faktori.
② Pwodwi NeoDen: Seri entelijan PNP machin, NeoDen K1830, NeoDen4, NeoDen3V, NeoDen7, NeoDen6, TM220A, TM240A, TM245P, fou reflow IN6, IN12, soude keratin printer FP2636, PM30436.,
③ Siksè 10000+ kliyan atravè mond lan.
④ 30+ Ajan Global ki kouvri nan pwovens Lazi, Ewòp, Amerik, Oceania ak Lafrik.
⑤ Sant R&D: 3 depatman R&D ak plis pase 25 enjenyè R&D pwofesyonèl.
⑥ Ki nan lis ak CE epi li te resevwa plis pase 50 patant.
⑦ 30+ kontwòl kalite ak enjenyè sipò teknik, 15+ ansyen lavant entènasyonal, kliyan alè reponn nan 8 èdtan, solisyon pwofesyonèl bay nan lespas 24 èdtan.
Lè poste: Me-17-2022